第120章 1nm光刻机首测成功，震撼全场！（1/2）

请关闭浏览器的阅读/畅读/小说模式并且关闭广告屏蔽过滤功能，避免出现内容无法显示或者段落错乱。

全员换上无尘工作服，经过三道安检进入偌大的实验室。

见到一台庞然大物，市委书记、市长、副市长等市领导同时愣住，安若素也是睫毛一颤。

安若素平时很少来鹏城大学，只有周末过来找老公，并未见过光刻机成品，此时指着大型设备激动道：“老公…这…这就是你研发的光刻机吗？”

“对。”

苏云杉向市领导介绍：“各位领导，这就是由皇甫集团和鹏城大学联合研制的High NA EUV光刻机，机身尺寸10米x5米x4米，整机重量约150吨，按照设计要求，可以量产1n及以上制程芯片，实验室可试产0.5n芯片。”

哗——

全场领导大惊！

看着光刻机怔怔出神。

皇甫君昨晚来过，见过总装整机，此时再见，依然觉得震撼，光刻机通体哑光银灰，轮廓方正厚重，如同集装箱稳稳地扎在环氧地坪上。

苏云杉走近介绍：“这台设备是国内首台数值孔径0.55的High NA极紫外光刻机，相较于国外传统0.33NA EUV光刻机，可大幅提升分辨率，打印8n密集线条，突破芯片制造密度记录，这也是它能够突破1n制程壁垒的核心关键。”

皇甫君母女三人、市领导、校领导跟在他身后，近距离观摩，更能直观地感受到它的精密和磅礴。

苏云杉摸着冰凉的机身继续介绍——

“整机采用一体化真空密封舱体设计，外壳是特制航空级碳化硅材质，抗形变、耐高温、耐腐蚀，表面哑光涂层经过百级无尘抛光处理，不沾微尘、极致平整，杜绝任何细微光线散射干扰。”

“设备搭载自研13.5n波长高能脉冲等离子光源，最大功率突破350W，光源稳定性和光斑均匀性，均达到国际领先标准，彻底解决了传统EUV光源功耗高、续航短、光斑偏差的缺陷。”

苏云杉抬手指着设备核心光学区域，继续细致讲解。

“核心反射镜组为七层超高精度镀膜镜片，经过原子级抛光工艺处理，面形精度误差控制在0.05λ以内，表面粗糙度不足0.1纳米，相当于单个原子直径级别，可实现极致精准的光线反射和聚焦。”

啥啥啥……

说得是个啥……

安若素和安无恙姐妹俩听得一头雾水，但不明觉厉。

市委书记和市长此前做过国产光刻机的调研和考察工作，大概能听懂，来之前也做过功课，听到苏云杉报出的一组组参数，除了震惊还是震惊。

苏云杉接着报出一组极具含金量的核心参数。

“设备套刻精度控制在1.2纳米以内，单次曝光分辨率可达8纳米，配合多重曝光工艺，量产端可稳定实现1n制程芯片规模化投产。

实验室极限工艺下，可完成0.5n制程芯片的试产、迭代和良率测试。

同时，整机晶圆吞吐量可达每小时120片，单台设备年产能能够支撑数十万片先进制程晶圆产出，完全满足车载智控芯片、高端手机、AI算力芯片的量产需求。”

哇——

市领导和校领导又是一惊！

“整台设备核心国产化率达到100%，从真空腔体、精密运动工件台、双工件台换片系统，到光源模组、光学镜头、精密校准控制系统，全部实现自主设计、自主制造，彻底摆脱海外核心零部件的技术垄断。”

苏云杉最后总结道：“总之一句话，我可以负责任地告诉各位领导，这是当今世界上最先进的光刻机。”

天呐——

无尘实验室一片沉寂，安静得只能听到各自的心跳声和呼吸声。

市领导和校领导很清楚，0.5n实验室试产、1n规模化量产、100%国产化率，这三组数据意味着什么。

此前全球高端光刻领域，EUV技术被阿斯麦尔独家垄断，国内先进制程芯片始终被卡在瓶颈，如今这台国产设备的问世，堪称弯道超车，直接跳过EUV，站在High NA EUV的领头羊位置。

但……

数据终归是数据……

实际能做到吗？

这个问题，皇甫君也想知道，没等市领导开口，她先忍不住道：“苏总，要不…现在开启测试？”

这话问到了所有人的心坎里，一个个面露期待，包括教授、研究员、副教授等协作团队。

他们只是按照苏云杉的要求制造零件、组装、调试，对于能否系统化运转，甚至达到设计要求，并不确定。

苏云杉抬起腕表看时间，“刚好9点整，好，请工作人员就位，听我指令，正式开启首次测试。”

一位工程师紧张地站在主控台前，由于设备高度自动化，人工干预较少，只需一人操作即可。

本章未完，点击下一页继续阅读。