第352章 130纳米製程情况（1/2）

马宇腾他放下手中的水杯。

目光从那些喜人的数据上移开，落在了肖光楠的脸上。

“你之前的匯报文件中提到，湾湾的台积电，在最近已经通过採用浸没式光刻技术，成功实现了90纳米製程的量產突破”

“是的，我已经通过行业內的关係確认了这个消息的真实性。”

这个消息，对於半导体行业之外的人来说，或许只是一行冰冷的技术新闻。

但对於肖光楠这样的从业者而言，不啻於一声惊雷。

这意味著，在先进位程的赛道上，领跑者又一次拉开了与追赶者的距离。

马宇腾的声音再次响起，带著不容置疑的压迫感。

“我们不能永远停留在成熟製程上，靠著关联公司的订单过日子，那最后只会变成价格战的红海。”

“所以，我们的下一代製程研发，现在是怎样的情况?”

肖光楠深吸一口气，调出了另一份ppt。

这份ppt的標题是——“130纳米工艺製程研发进展”。

“马总，您的顾虑，我们已经意识到了。在保证现有生產任务的同时，技术部已经成立了专项攻关小组，进行130纳米製程的开发。”

肖光楠指著屏幕上的一张设备採购单。

“我们从尼康採购了一台nsr-s307e arf扫描式光刻机，这是开发130纳米工艺的关键设备。”

“之后，通过这台光刻机进行了新製程工艺的开发，只是良品率……”

马宇腾的目光落在报告的最后一页，那里有一张醒目的良率统计图。

那条代表著良率的曲线，在经歷了初期的几次小幅爬升后，就死死地停在了一个数字上，再也无法寸进。

百分之三十。

一个根本不具备任何商业量產价值的数字。

马宇腾抬起头，看著肖光楠，眼神平静，却仿佛能穿透人心。

“原因是什么”

肖光楠的嘴唇动了动，镜片后的双眼流露出一丝技术人员面对难题时的凝重与无奈。

他走到白板前，调出了一张更为复杂的工艺流程图。

“问题是系统性的。”

他指著图上一个被红框標记出来的区域。

“这是在进行柵极刻蚀的环节。我们的180纳米用的是成熟的干法刻蚀。”

“但到了130纳米，线宽急剧缩小，等离子体对光刻胶的损伤变得非常严重，导致刻蚀后的柵极侧壁形貌控制不住，出现大量的『脚丫』缺陷。”

他又切换到另一张电子显微镜下的扫描图片，图片上，本该是笔直的线条，底部却出现了不规则的凸起，如同人的脚丫。

“我们尝试了调整刻蚀气体的配比，优化等离子体的功率，甚至更换了光刻胶的供应商，但效果都不理想。”

“还有铜互连工艺。”肖光楠的声音愈发沉重。

“130纳米开始，必须使用电阻率更低的铜来代替铝作为互连线。”

“但铜原子非常容易在硅片中扩散，造成器件失效。我们需要沉积一层足够致密且均匀的阻挡层，比如氮化鉭。”

“但我们新採购的尼康光刻机，和原有的pvd（物理气相沉积）设备，在工艺整合上出现了匹配问题。”

“老师傅们的经验都在原有的设备体系上，对於这套新的组合，他们也需要时间摸索。”

肖光楠一口气说了很多，全是专业的技术术语。

马宇腾安静地听著，没有打断。

他虽然不是半导体製造的专家，但凭藉著两世的知识储备和对產业链的理解，他能听懂肖光楠话里的核心。

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