第123章 苏晴的技术突破性构想（2/2）
苏晴提出了一种新的沉积方案——采用脉冲激光沉积技术，通过控制激光的脉冲频率和能量，让量子点在晶圆表面均匀成核。团队立刻对沉积设备进行改造，将原来的电子束蒸发沉积改为脉冲激光沉积。经过多次参数优化，量子点的分布均匀性终于达到了要求，碳纳米管的排列密度也提升了40%。
就在研发取得初步进展时，阿拉伯能源联邦主权基金的尽职调查团队来到了研发中心。为首的投资总监穆罕默德看着实验数据，脸上露出了怀疑的神色：“苏总，你们的技术方案确实很有创新性，但目前还只是实验室阶段，离工业化量产还有很大的距离。ASML的7n技术已经成熟量产，你们怎么保证能在一年内实现量产？”
苏晴没有直接回答，而是带着他们来到了中试车间。车间里，一台经过改造的刻蚀设备正在进行碳纳米管晶体管的加工，屏幕上显示的良率数据已经达到了70%。“我们采用了现有的14n生产线进行改造，只需要更换核心的沉积和刻蚀模块，就能实现量子碳管架构芯片的量产。”苏晴指着设备说，“按照目前的研发进度，三个月内可以完成中试，六个月内实现量产，良率能稳定在80%以上。”
穆罕默德看着正在运转的设备，又翻阅了详细的量产计划，终于点了点头：“我相信你们的技术实力和执行能力。但我们需要看到更具体的性能测试数据，要是你们的芯片性能能达到预期，我们愿意以1500亿的估值投资50亿，同时帮助你们开拓中东的汽车和能源市场。”
为了拿到投资，团队开始了紧张的性能测试准备。然而，在制备测试样品时，碳纳米管晶体管的栅极绝缘层出现了击穿现象，导致芯片短路。“是栅极绝缘层的厚度不均匀导致的。”苏晴通过透射电子显微镜观察后发现，绝缘层在碳纳米管的间隙处出现了变薄的现象，“我们需要采用原子层沉积技术，精确控制绝缘层的厚度，确保在碳纳米管表面形成均匀的绝缘层。”
原子层沉积设备的采购需要时间，而阿拉伯能源联邦主权基金要求一周内看到测试数据。林渊立刻联系了中科院微电子研究所，向他们借用原子层沉积设备。研究所的所长是王之江院士的学生，得知深蓝科技的研发困境后，立刻同意了借用请求，并派了三名技术人员前来协助。
在中科院团队的协助下，团队仅用三天就完成了栅极绝缘层的沉积。当第一颗量子碳管架构的测试芯片制备完成时，所有人都屏住了呼吸。测试仪器启动后，屏幕上的性能数据不断跳动，最终稳定下来：芯片的运算速度达到了3.5GHz，比ASML的7n芯片提升了55%；漏电率仅为0.001A，是ASML 7n芯片的1/10；在-50℃到150℃的极端环境下，性能波动不超过5%。
“太不可思议了！”穆罕默德看着测试报告，激动地握住了林渊的手，“这是我见过的最先进的芯片技术，比我们预期的还要好！我现在就向总部汇报，尽快敲定投资协议。”他顿了顿，补充道，“中东的阿拉伯能源联邦阿美石油公司和迪拜拉电力公司已经表示，要是你们的芯片量产，他们愿意签订长期采购合同，用于石油勘探设备和智能电网建设。”
投资的事情有了眉目，但研发的难题并没有完全解决。负责封装技术的团队发现，量子碳管芯片的热膨胀系数与传统的封装材料不匹配，在高温环境下会出现封装开裂的现象。“我们需要研发一种新的封装材料，热膨胀系数与碳纳米管匹配，同时具备良好的散热性能。”团队负责人说，“目前国内没有这种材料，只能自主研发。”
苏晴想起了之前在军工研究所看到的一种陶瓷基复合材料，热膨胀系数很低，散热性能优异。她立刻联系了西安交通大学的材料学院，与他们合作研发封装材料。经过两周的联合攻关，团队终于研发出了一种新型的碳化硅陶瓷基复合材料，完美解决了封装开裂的问题。
然而，新的麻烦又找上门来。米国商务部突然发布公告，将深蓝科技列入“实体清单升级名单”，禁止任何米国企业向深蓝科技提供任何技术和产品，包括之前已经签订合同的设备零部件。“我们的刻蚀设备有一个核心部件是米国应用材料公司生产的，现在他们停止供货，设备要是出现故障，根本无法维修。”设备维护团队的负责人焦急地说。
林渊立刻召集团队开会，商讨解决方案。“我们不能再依赖米国的零部件了，必须实现核心部件的国产化。”苏晴提出了建议，“我们可以联合国内的设备厂商，自主研发刻蚀设备的核心部件。之前我们已经研发了等离子体发生器和真空泵，剩下的部件难度不大，只要集中力量攻关，应该能在一个月内完成。”
林渊采纳了苏晴的建议，立刻与沈阳机床厂、中电科四十八所等国内设备厂商成立了联合研发小组，攻关刻蚀设备核心部件。在大基金的协调下，中科院的多家研究所也加入了研发团队，提供技术支持。经过一个月的日夜奋战，刻蚀设备的所有核心部件都实现了国产化，性能甚至超过了米国的同类产品。
就在这时，ASML突然宣布，将在三个月后发布新一代5n光刻机，售价1.2亿美元。行业分析师预测，ASML的5n技术将继续保持领先优势，深蓝科技的量子碳管技术可能刚量产就会被超越。“他们这是在给我们施压，想让我们放弃研发。”陈涛说，“但我们的量子碳管技术潜力很大，只要优化架构，性能还能提升30%以上，完全有能力与ASML的5n技术竞争。”
苏晴也表示认同：“ASML的5n技术依然基于硅基材料，而碳纳米管的性能极限远高于硅。我们可以在现有架构的基础上，增加量子点的掺杂浓度，提升碳纳米管的电子迁移率，让芯片性能再上一个台阶。我已经做过模拟计算，优化后的芯片运算速度能达到4.5GHz，超越ASML的5n芯片。”
林渊看着团队充满斗志的脸庞，心里充满了信心。他知道，ASML的技术领先只是暂时的，只要他们坚持自主创新，就一定能在半导体领域实现超越。“苏晴，立刻组织团队进行架构优化；陈涛，加快设备改造进度，确保两个月内完成量产准备；赵磊，协调供应链，储备足够的原材料，应对可能的供应链封锁。”林渊的声音坚定有力，“我们不仅要实现量子碳管芯片的量产，还要在ASML发布5n光刻机之前，召开新品发布会，让全世界看到龙国的半导体技术！”
团队立刻投入到紧张的研发和量产准备中。研发中心的灯光每天都亮到深夜，实验室里不断传来设备运行的嗡嗡声，每个人都在为了同一个目标而奋斗。苏晴带领团队优化芯片架构，将量子点的掺杂浓度提升了20%，芯片运算速度达到了4.2GHz；陈涛的团队完成了刻蚀设备的改造，量产线的良率稳定在85%以上；赵磊建立了多元化的供应链体系，确保原材料的稳定供应。
当一切准备就绪，林渊站在研发中心的顶楼，看着楼下忙碌的生产线，心里感慨万千。从决定自研芯片到现在，他们经历了无数次的失败，承受了巨大的压力，甚至差点面临破产的危机。但他们从未放弃，因为他们知道，自己肩上承载的是龙国半导体产业的希望。林渊拿起手机，拨通了王之江院士的电话：“王院士，我们的量子碳管芯片已经准备就绪，下个月召开新品发布会，邀请您作为特邀嘉宾出席。”电话那头传来王院士激动的声音：“好！好！我一定参加，让全世界都知道，龙国也能造出最先进的芯片！”