第134章 “光刻机”是拦路虎？系统有办法（1/2）

“炎黄计划”的军令状如同泰山压顶，让龙芯工业刚刚因“织网”系统而轻松些许的氛围，再次变得凝重如铁。李明博院士留下的那份清单，每一项后面标注的技术要求和“卡脖子”现状，都足以让任何一个材料或设备专家夜不能寐。

专项工作组成立后的第一次全体会议，气氛就压抑得让人喘不过气。

苏小远带领团队，率先对那份清单进行了深度剖析和难度评估。当她将初步分析结果投映到大屏幕上时，会议室里响起了一片倒吸冷气的声音。

“各位，我们面临的，是几乎不可能完成的任务。”苏小远的声音依旧清冷，但细听能察觉到一丝紧绷，“以EUV光刻机用碳化硅反射镜基材为例，其核心难点在于三个方面：极致纯度、完美晶体与超光滑表面。”

她调出详细的资料图片和数据：

“极致纯度：9个9（99.%）的纯度，意味着每10亿个原子中，不允许有1个杂质原子。这要求从原料源头（高纯硅粉和高纯碳源）开始，到合成、烧结、加工的每一个环节，都必须处于超净环境中，任何微小的污染源（如设备磨损、环境粉尘、甚至操作人员呼出的气体）都可能导致前功尽弃。”

“完美晶体：基材内部不能有任何晶界、位错、空洞等缺陷，必须是近乎完美的单晶或特定取向的高品质多晶。在厘米级尺寸上实现这一点，对晶体生长技术和热场控制提出了变态的要求。”

“超光滑表面：反射镜表面粗糙度要求达到原子级（RS ＜ 0.1纳米）！这相当于在一个足球场大小的面积上，起伏不能超过一根头发丝的直径！而且不能有任何划痕、凹坑等亚表面损伤。现有的研磨、抛光技术几乎无法实现。”

“这还仅仅是基材！”苏小远切换页面，“后续的精密镀膜（在基材上镀上多达上百层的、厚度精确到原子级别的钼\/硅多层膜，以反射极紫外光）、面形检测与修正……每一步都是天堑！”

王胖子听得两眼发直，喃喃道：“我的亲娘嘞……这哪是造材料，这分明是让咱们手搓一个完美无瑕的微观宇宙啊！还得是原子级别的平整！这得请玉皇大帝来当质检员吧？”

一位刚从某国家级材料研究所挖来的老专家推了推眼镜，叹气道：“苏总工分析得很到位。不客气地说，以我们地球现有的技术积累，尤其是基础工艺和检测手段，想要独立攻克EUV光刻机全套技术，没有二三十年，甚至更长时间的持续投入，根本看不到希望。这不仅仅是技术问题，更是整个工业生态和基础科学的差距。”

会议室内一片沉默，绝望的情绪如同瘟疫般蔓延。就连一向乐观的王胖子，也耷拉着脑袋，不吭声了。之前搞超低温钢、五轴机床，虽然也难，但至少能看到路径，知道努力的方向。可眼前这EUV光刻机，仿佛是一座根本看不到顶、光溜溜的绝壁，连个下脚的地方都难找。

林枫一直沉默地听着，手指无意识地在桌面上敲击。他知道同事们说的都是事实，是冰冷而残酷的现实。但他更知道，如果不能攻克光刻机，之前所有的努力，龙芯工业所有的成就，在更高维度的竞争中都可能变得毫无意义。

难道真的只能按部就班，用几十年时间去填补那令人绝望的鸿沟？国家等得起吗？民族复兴的进程等得起吗？

不！绝不能！

就在这令人窒息的压抑中，林枫猛地抬起头，眼中闪过一丝决绝的光芒。他不能透露系统的存在，但他可以引导方向！

“大家说的都很对，很难，难如登天。”林枫的声音打破了沉默，吸引了所有人的目光，“但是，大家有没有想过，我们为什么一定要沿着别人设定的路线去爬那座绝壁？”

他站起身，走到白板前，拿起笔，重重地画了一个叉，将代表传统EUV光刻技术的路线图盖住。

“EUV光刻，利用波长13.5纳米的极紫外光，通过无比复杂的反射镜系统进行投影光刻，这条路，是ASL（阿斯麦）和它背后的整个西方技术联盟，投入了数千亿美元、数十年时间才走通的。我们再去重复，不仅时间来不及，专利壁垒也能把我们困死！”

“那……那我们能怎么办？”王胖子下意识地问。

林枫的目光扫过在场每一个人，语气带着一种引导性的亢奋：“换道超车！ 为什么一定要用光？为什么一定要用那么短的波长？为什么一定要那么复杂的反射镜系统？”

本章未完，点击下一页继续阅读。